(서울=파이낸셜리더스) 양언의 기자 = 삼성전자[005930]의 3분기 D램 생산이 30% 초반대의 성장률을 기록하며 시장 기대치를 크게 웃돌았다.
삼성전자 메모리사업부 전세원 부사장은 31일 3분기 실적발표 직후 진행된 컨퍼런스콜에서 "3분기에는 계절적 성수기 효과로 전반적인 응용처에서 수요가 증가했다"며 이같이 밝혔다.
회사는 낸드플래시도 3분기 10% 초반대 성장률을 보이면서 메모리 반도체의 올해 연간 성장률이 시장 수준을 상회할 것으로 전망했다.
전 부사장은 "대외 환경 불확실성으로 재고 확보 수요도 당분간 지속할 가능성이 크다"고 설명했다.
메모리 반도체 전반의 재고 수준도 정상화 단계에 들어선 것으로 나타났다.
전 부사장은 "낸드플래시는 기존 전망대로 3분기 정상화됐고, D램 재고는 내년 상반기 정상화할 것"이라고 말했다.
그는 또한 "(메모리 반도체의) 내년 투자 계획은 아직 검토 중"이라며 "시황에 따른 탄력적 투자에 주력할 것"이라고 말했다.
삼성전자는 앞서 2분기 컨퍼런스콜에서 반도체 감산에 대한 질문에 "전체 라인의 효율을 최적화하는 방향으로 탄력적으로 운영한다"고 밝힌 바 있다.
중국 시안(西安) 반도체공장 2기 라인은 올해 말 완공, 내년 초 가동 예정이며 평택 2기 라인도 내년께 가동을 개시한다.
전 부사장은 이와 관련 "양산 시점은 아직 정해지지 않았다"며 "수요 상황을 보고 탄력적으로 운영할 계획"이라고 재차 강조했다.
이밖에 내년 5세대 이동통신(5G) 스마트폰이 올해 대비 큰 폭의 성장을 기록하며 관련 메모리 수요도 견조할 것으로 관측했다.
